闪存EEPROM
内存
Flash存储器EPROM增加和ROM功能与电路中的电
擦除和编程。它包含16K或32K组织程序存储器的字节
在128或256页的128字节。该内存并行和串行在系统亲
可编程（ISP）。 ISP允许设备改变自己的程序存储器中的实际
在软件控制下的最终产品。默认串行装载（引导加载程序）程序允许
ISP的闪存。
编程不需要外部专用的编程电压。在必要请
埃森高编程电压是使用标准的V在片上产生
CC
的销
微控制器。
特点
闪存EEPROM内部程序存储器。
Boot向量允许用户将Flash装载代码的任何地方居住在Flash
存储器空间。这种配置提供了灵活性给用户。
在引导ROM默认的装载程序可通过串口编程，而不需要
的用户提供的加载程序。
高达64K字节的外部程序存储器，如果内部程序存储器
禁用（ EA = 0 ） 。
编程和擦除电压与标准的5V或3V V
CC
供应量。
读/编程/擦除：
–
–
按字节读取无等待状态
字节或页擦除和编程（ 10毫秒）
典型的编程时间（ 32K字节）的10秒
并行编程与87C51兼容的硬件接口，程序员
在Flash中编程加密
100K的写周期
10年的数据保留
闪存编程和
删除
在16K或32K字节的闪存是由字节或128字节的页编程。它不是
要删除一个字节或编程之前的页面。一个字节的编程
或页面包括编程之前，自擦除。
有编程闪存的三种方法：
首先，在芯片上的ISP引导程序可以调用将使用低级别例程来
编程的页面。用于Flash的串行下载接口的UART 。
第二，闪存可被编程或通过擦除在最终用户应用程序
通过在Boot ROM中的公共入口调用低级例程。
第三，闪存可以利用并行方法通过使用一个被编程
传统的EPROM编程器。所采用的并行编程方法
这些器件是相似的用的EPROM 87C51但它是不相同的，并在
市售程序员需要具备的支持
AT89C51RB2 / RC2 。该引导程序和应用程序编程接口
（ API）子程序位于BOOT ROM 。
86
AT89C51RB2/RC2
4180E–8051–10/06
