A/T89C51CC01
程序/代码
内存
该T89C51CC01实现片上程序/代码存储器的32K字节。图17
显示内部和外部程序/代码存储空间取决于分区
在产品上。
该闪存在电路中的电era-增加了EPROM和ROM功能
肯定和编程。由于内部电荷泵，高电压所需要的
编程或擦除闪存单元是使用标准的VDD电压在片上产生
年龄。因此，闪存可以只用一个电压进行编程，并允许在 -
系统编程俗称的ISP。硬件编程模式也
可以使用特定的编程工具。
图17 。
程序/代码存储器组织
FFFFH
32K字节
外
内存
8000h
7FFFh
32K字节
国内
FL灰
EA = 1
0000h
0000h
7FFFh
32K字节
外
内存
EA = 0
注意事项：
1.如果程序从片上程序存储器，专门执行（而不是从外部
内存） ，提防从片上存储器的高字节执行代码（ 7FFFh表示）
并由此扰乱I / O端口0和2由于外部预取。取代码CON-
从这个位置不变，不影响端口0和2 。
2.默认的工厂编程的部分配备了最大的硬件保障。 Execu-
灰从外部存储器是不可能的，除非该硬件安全字节是
重新编程。请参阅表27 。
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4129N–CAN–03/08
