EEPROM数据
内存
位于地址2 KB的片上EEPROM存储器块0000h到的07FFH
在XRAM / XRAM存储器空间，被选中的EECON设置控制位
注册。在EEPROM存储器的读操作，是用MOVX指令。
在EEPROM存储器中的物理写操作完成两个步骤：在列写入数据
锁存器和所有数据的传输锁存到EEPROM存储器行（编程） 。
写入的页的数据的数量可以从1到128个字节（页面发生变化
大小）。编程时，只写在列锁存器中的数据进行编程和
第九位是用来获得此功能。这提供了编程的能力
整个存储器以字节，由页或者由多个字节中的一个页面。事实上，每一个第九
位在写在一个行中的对应字节设置和所有这些第九位是
完整的EEPROM行的写入后复位。
在列写数据
锁存器
数据被写入由字节到列锁存器作为外部RAM的存储器。在对
数据指针的11个地址位，在4个MSB是用于选页（行）和7
用于字节选择。在两个EEPROM编程会话，所有的
在列锁存器的地址必须保持在同一页上，这意味着高4位
必须不被改变。
下面的步骤用来写入到列锁存器：
保存并禁止中断。
EECON寄存器的设置位EEE
加载DPTR的地址写
存储一个寄存器写入数据
执行MOVX @ DPTR ，A
如果需要循环中的最后三个指令，直到一个128字节页的结尾
恢复中断。
加载列锁存器时所使用的最后一个页面地址是用于选择所述一个
页编程地址。
注意：
程序设计
EEPROM的编程包括以下操作：
在列锁存器写入一个页面中的一个或多个字节。通常情况下，所有字节
必须属于同一个页面;如果不是，则最后一页地址将被锁存并在
别人丢弃。
通过写控制序列（ 50小时后的A0h ）到发射编程
EECON寄存器。
EEBUSY标志EECON ，然后由硬件设置以表明程序是
的进步，该EEPROM段不可用于读取。
节目的最后是由明确的EEBUSY标志的硬件表示。
序列5XH和AXH必须在没有间则指令执行其它 -
聪明的编程中止。
注意：
读数据
下面的过程用于读取存储在EEPROM存储器中的数据：
保存并关闭中断
EECON寄存器的设置位EEE
加载DPTR的地址来读取
执行MOVX A ， @ DPTR
恢复中断
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A/T89C51AC2
4127H–8051–02/08
