D组命令包括：
1.擦除扇区保护寄存器
2.计划部门保护注册
3.部门锁定
4.项目安全注册
如果A组命令执行过程中（尚未完全竣工） ，然后在A组另一个命令，
B，C或D不应被启动。然而， B组的内部自定时部分中
命令，在C组的任何命令可以被执行。用缓冲液1的B组命令
应使用用缓冲液2 ，反之亦然C组命令。最后，在内部自
一个D组命令定时部分，只有状态寄存器读命令应该是
执行。
15.指令表
表15-1 。
命令
主存储器页读
连续阵列读取（ legacy命令）
连续阵列读取（低频）
连续阵列读取（高频）
缓冲区1读取（低频）
缓冲器2读出（低频）
缓冲区1读取
缓冲器2读
读取命令
操作码
D2H
E8H
03H
0BH
D1H
D3H
D4H
D6H
表15-2 。
命令
缓冲区写入1
缓冲区2写入
编程和擦除命令
操作码
84H
87H
83H
86H
88H
89H
81H
50H
7CH
C7H ， 94H ， 80H ， 9AH
82H
85H
缓冲1到主存储器页编程带内置擦除
缓冲区2主内存页编程带内置擦除
缓冲1到主存储器页编程没有内置擦除
缓冲区2主内存页面程序没有内置擦除
页擦除
块擦除
扇区擦除
芯片擦除
通过缓冲器1主存储器页编程
通过缓冲区2主内存页面编程
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AT45DB321D
3597N–DFLASH–04/09
