AT45DB161D
27.2
8S2 - EIAJ SOIC
C
1
E
E1
L
N
顶视图
e
A
符号
θ
端视图
b
常见尺寸
（计量单位mm ）
民
喃
最大
记
A1
A
A1
b
C
1.70
0.05
0.35
0.15
5.13
5.18
7.70
0.51
0°
1.27 BSC
2.16
0.25
0.48
0.35
5.35
5.40
8.26
0.85
8°
3
2
4
4
D
D
E1
E
SIDE VIEW
注：1 。
2.
3.
4.
L
θ
e
此图仅供一般信息;参考图纸EIAJ EDR- 7320的更多信息。
不包括在上，下模和树脂毛刺的不匹配。
确定真实的几何位置。
值B，C适用于电镀终端。镀覆层的标准厚度应为0.007至0.021毫米测量。
封装图纸联系方式：
packagedrawings@atmel.com
标题
8S2,
8引脚， 0.208 “身体，塑料小
外形封装（ EIAJ ）
GPC
STN
4/15/08
图号。 REV 。
8S2
F
51
3500M–DFLASH–04/09
