22.写操作
下面的框图和波形说明各种写入序列可用。
闪存阵列
PAGE （五百二十八分之五百一十二BYTES ）
BUFFER 1 TO
主内存
页编程
BUFFER 2 TO
主内存
页编程
缓冲器1 （ 528分之512 BYTES ）
缓冲1
写
缓冲液2 （ 528分之512 BYTES ）
缓冲区2
写
I / O接口
SI
22.1
缓冲区写
完成写入缓冲区选择
CS
二进制文件页面大小
15 ，不要在乎+ Bfa8 ， BFA0
SI （输入）
CMD
X
X ... X， BFA9-8
BFA7-0
n
n+1
最后字节
22.2
缓冲区到主存储器页编程（数据从缓冲区烧写到Flash首页）
启动自定时擦除/编程操作
CS
二进制文件页面大小
A20 -A9 + 9无关位
SI （输入）
每个转换
代表8位
CMD
PA11-6
PA5-0 ， XX
XXXX XX
N = 1个字节的读
N + 1 = 2个字节的读
40
AT45DB161D
3500M–DFLASH–04/09
