特点
单电压，范围为3V至3.6V电源供电
3伏，只有读写操作
软件保护程序
快速读取访问时间 - 100纳秒
低功耗
- 15毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
部门工作计划
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 1024个扇区（ 256字节/扇区）
- 内部地址和数据锁存为256字节
两次与锁定8K字节的引导块
行业的快速程序的周期时间 - 20毫秒
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
典型的耐力> 10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
2-megabit
（ 256K ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT29LV020
1.描述
该AT29LV020是3伏，只在系统可编程闪存擦除和读取
只读存储器（ PEROM ） 。其2兆比特的存储器分为262,144字节由
8位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备制造
提供存取时间为100 ns的只有54毫瓦以上工业功耗
温度范围。当设备被选中，则CMOS待机电流小于
50 μA 。该器件的耐用性是这样的，任何扇区通常可以被写入到在
超过10,000次。
为了让简单的系统内可再编程，该AT29LV020不需要
高输入电压进行编程。五伏，只命令确定操作
化设备。读数据从装置的类似于读数从一个
EPROM 。重新编程AT29LV020的是，扇区的基础上执行; 256个字节
的数据被装载到该设备，然后同时被编程。
期间重新编程周期中，地址位置和256字节的数据被捕获在
微处理器的速度和内部锁存，从而释放地址和数据总线，用于
其他操作。下面的程序循环的开始，该设备将automati-
美云擦除扇区，然后使用内部控制编程锁存的数据
定时器。一个程序循环结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一旦
已经检测到一个程序循环的末尾，用于读出或程序可以新的接入
开始。
0565E–FLASH–9/08
