AT29C512
3.框图
4，设备操作
4.1
读
该AT29C512访问像EPROM 。当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据
存储在由地址管脚所确定的存储器位置被置位的输出。该
输出被置于高阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行控制
给出了防止总线争用设计的灵活性。
4.2
字节加载
字节负载被用来输入128字节的扇区进行编程或软件代码
数据保护。一个字节负载是通过将低脉冲上的WE或CE输入与执行
CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE，以先到为准最后。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。
4.3
节目
该装置被重新编程以扇区为基础。如果数据的扇区内的字节将被改变，
对于整个扇区数据必须被加载到设备中。未在装载任何字节
其部门的规划将是不确定的。一旦一个扇区的字节数被加载到
设备，它们同时在内部编程周期编程。后
第一个数据字节已被加载到设备中，连续的字节以相同的MAN-输入
NER 。每一个新的字节进行编程，必须在对我们（或CE ）以其高向低转换
150微秒WE （或CE ）前一个字节的低到高的过渡。如果高到低跃迁
并没有高不到150微秒，最后低到高的转变的检测，负载周期将结束，
内部编程周期将开始。 A7至A15指定的扇区地址。部门
地址必须在每个高到低WE （或CE ）的转换是有效的。 A0到A6指定
扇区内的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序装载不
所需。一旦编程操作已启动，以及在t的持续时间
WC
，读
操作将有效地成为一个轮询操作。
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0456i–FLASH–9/08
