AT25DF041A
12.5
t
PP(1)
t
BP
t
BLKE(1)
t
CHPE(1)(2)
t
WRSR(2)
注意：
编程和擦除特性
参数
页编程时间（ 256字节）
字节编程时间
4字节
块擦除时间
32字节
64字节
芯片擦除时间
写状态寄存器时间
1.最高值指示后10万次擦除/编程最坏情况下的性能。
2.不100％测试（通过设计和特性保证值） 。
民
典型值
1.2
7
50
250
400
3
200
600
950
7
200
美国证券交易委员会
ns
ms
最大
5
单位
ms
s
符号
12.6
t
VCSL
t
PUW
V
POR
电条件
参数
最小V
CC
为片选低电平时间
上电延时装置之前，编程或擦除允许
上电复位电压
1.5
民
70
10
2.2
最大
单位
s
ms
V
符号
12.7
输入测试波形和测量水平
AC
主动
水平
t
R
, t
F
< 2纳秒（10％至90％）的
2.4V
1.5V
0.45V
AC
测量
水平
12.8
输出测试负载
设备
下
TEST
30
pF
33
3668D–DFLASH–9/08
