AT25DF041A
表6-1 。
命令
读取命令
读阵列
读阵列（低频）
编程和擦除命令
块擦除（ 4字节）
块擦除（ 32字节）
块擦除（ 64字节）
芯片擦除
C7h
字节/页编程（ 1到256字节）
顺序编程模式
AFH
防御命令
写使能
写禁止
保护部门
撤消部门
全球保护/撤消
读扇区保护寄存器
状态寄存器命令
读状态寄存器
写状态寄存器
杂项命令
阅读制造商和设备ID
深度掉电
从深度掉电恢复
注意：
9Fh
B9h
ABH
1001 1111
1011 1001
1010 1011
0
0
0
0
0
0
1至4
0
0
05h
01h
0000 0101
0000 0001
0
0
0
0
1+
1
3Ch
06h
04h
36h
39h
0000 0110
0000 0100
0011 0110
0011 1001
0
0
3
3
0
0
0
0
0
0
0
0
1010 1111
02h
ADH
1100 0111
0000 0010
1010 1101
0
3
3, 0
(1)
3, 0
(1)
0
0
0
0
0
1+
1
1
20h
52h
D8h
60h
0010 0000
0101 0010
1101 1000
0110 0000
3
3
3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0Bh
03h
0000 1011
0000 0011
3
3
1
0
1+
1+
命令列表
操作码
地址字节
虚拟字节
数据字节
使用写状态寄存器命令
0011 1100
3
0
1+
1.三个地址字节只需要第一操作指定的地址处开始编程。此后，
内部地址计数器自动递增，因此后续顺序编程模式的操作只需要
时钟的操作码和数据字节，直到顺序编程模式已退出。
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3668D–DFLASH–9/08
