AT24HC02B/04B
9.写操作
写字节：
写操作需要一个8位数据地址的设备以下
地址字和确认。在收到这个地址后， EEPROM将再次
响应一个“0” ，然后时钟中的第一个8位的数据字。在接收到8位数据的
字，则EEPROM将输出一个“0”和寻址装置，例如微控制器，必须
终止与一个停止条件写序列。此时， EEPROM进入内部
定时的写周期，T
WR
到非易失性存储器。所有的输入都是在此写周期禁用
和EEPROM不会响应，直到写操作完成（见
图10-2第10页） 。
页写：
在2K EEPROM能够一个8字节页写，而4K EEPROM
设备能够16字节页写。
一个页面写入启动同一个字节写，但单片机不发送停止
第一个数据字后，状态移入，而是在EEPROM确认后，
收到第一个数据字，微控制器可以传输多达七个（ 2K ）或sixtenn （ 4K ）
更多的数据字。该EEPROM会接收到的每一个数据字后，用“ 0 ”回应。该
微控制器必须终止与停止状态页写操作（参见
图10-3
第11页） 。
数据地址的低3位（ 2K ）或四个（ 4K ）在内部递增继
收到的每个数据字。更高的数据地址位没有变化，保持
存储器的页地址。当字地址，内部产生，达到页
边界，后面的字节被放置在相同的页面的开始。如果超过8 （2K）
或16 （ 4K ）的数据字被传输到EEPROM中，数据地址将“翻转”
与以前的数据将被覆盖。
确认查询：
一旦内部定时写周期已经开始，
EEPROM输入被禁止，便可进行应答轮询启动。这包括发送
启动条件以及器件地址。读/写位为代表的
操作所需。只有当内部写周期结束的EEPROM与回应
一个“0” ，从而使读或写序列继续。
9
5192C–SEEPR–01/09
