EEPROM
奥斯汀半导体公司
页模式特征
符号
t
AS
, t
OES
t
AH
t
CS
t
CH
t
WP
t
DS
t
DH
, t
OEH
AS8E128K32
参数
地址， OE \\建立时间
地址保持时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
把脉冲宽度（WE \\或CE \\ ）
数据建立时间
数据显示， OE \\保持时间
民
4
50
0
0
100
50
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
页面模式写波形
(1,2)
OE
CE \\
t
WP
TWP
WE \\
t
WPH
TWPH
t
BLC
TBLC
t
AS
TAS
A0 - A16
t
AH
TAH
VA
VA
VA
VA
VA
VA
VA
t
DS
TDS
数据
注意事项：
1.
2.
3.
4.
VD
t
DH
TDH
VD
VD
VD
VD
VD
t
WC
TWC
VD
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
BYTE 126
VD
BYTE127
通过A16 A7必须指定在每个高的网页地址向低过渡WE \\ （或CE \\ ） 。
OE \\要高只有当我们和\\ CE \\都很低。
VD - 有效数据
VA - 有效的地址
芯片擦除波形
VIH
CE \\
VIL
VH
OE \\
VIH
VIH
T = 5毫秒（最小值）
S
t
S
t
H
WE \\
VIL
t
W
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
t
W
= TH = 10毫秒（最小值）
V
H
= 12.0V + 0.5V
AS8E128K32
7.6修订版06/05
7
