SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
3.3伏高速SRAM与
中心电源引出线
作为军事
特定网络阳离子
MIL -STD- 883陶瓷
扩展级温度塑料（ COTS ）
AS5LC512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
36引脚PSOJ （ DJ ）
36引脚CLCC （ EC）
特点
超高速异步操作
??完全静态的，并没有时钟
多中心的电源和接地引脚，以提高
噪声抗扰度
易于扩展内存通过CE \\和OE \\
选项
所有输入和输出为TTL兼容
+ 3.3V单电源0.3V +/-
数据保持功能测试
成本高效的塑料包装
扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料
36引脚扁平封装（F ）
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
包（ S）
陶瓷扁平
塑料SOJ （ 400密耳宽）
陶瓷LCC
2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-20
-25
XT
IT
F
DJ
EC
L
307号
210号
概述
该AS5LC512K8是3.3V高速SRAM 。它提供
灵活的高速内存应用，芯片使能（ CE \\ ）
和输出使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
作为一个选项，该设备可以提供提供一个减小的功率
待机状态下，使系统设计人员能够满足低待机功耗
要求。该器件从+ 3.3V单电源供电
和所有输入和输出完全兼容TTL 。
该AS5LC512K8DJ提供的便利性和可靠性
AS5LC512K8 SRAM和具有塑料的成本优势
封装。
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5LC512K8
2.1版08/09
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