SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
高速CMOS SRAM与
3.3V革命引脚
特点
高速存取的10倍，12，15和20纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚的噪音较大
免疫
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项
CE \\断电
全静态操作：不需要时钟或刷新
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
AS5LC1008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚， 400密耳
塑料SOJ （DJ） &陶瓷SOJ （ DCJ ）
选项
时机
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
包
塑料SOJ （ 32针， 400密耳）
*陶瓷SOJ （ 32针， 400密耳）
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
-10
-12
-15
-20
A0
A1
A2
A3
CE \\
I / O 0
I / O 1
VCC
GND
I / O 2
I / O 3
WE \\
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE \\
I / O 7
I / O 6
GND
VCC
I / O 5
I / O 4
A12
A11
A10
A9
A8
DJ
DCJ
906号
501号
引脚功能
XT
IT
*联系工厂，未来可能发行
概述
该ASI AS5LC1008是一个非常高速，低功耗，
131,072字由8位CMOS静态RAM革命
引脚排列。该AS5LC1008采用高性能的制作
CMOS技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当CE \\为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
下降到250μW （典型值）， CMOS输入电平。
该AS5LC1008采用3.3V单电源供电
和所有的输入是TTL兼容的。
针
A0 - A16
CE \\
OE \\
WE \\
I / O0 - I / O7
V
CC
GND
描述
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5LC1008
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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