数据表
500毫安低噪声LDO稳压器
应用信息
输入电容
一个1μF的电容最小的建议是
摆V之间
IN
和GND 。
输出电容
这是为了防止振荡。 1μF最低为
建议当C
BYP
是未使用的。 2.2μF迷你
妈妈建议当C
BYP
为100pF的。在输出
放电容器可以增加，以改善瞬态
反应。
噪声旁路电容
旁路电容器被连接到内部电压
参考。一个100pF电容连接从BYP到
接地使该基准安静，产生了
显著降低输出噪声，但ESR的
稳定面积将会缩小。
在AP2213的启动速度成反比
成比例的基准旁路价值
电容。在某些情况下，如果输出噪声的是不是一个
主要关注和快速的开启是必要的，省略
C
BYP
离开BYP打开。
功耗
热关断可能发生，如果超过
最大功耗应用。在所有
可能的操作条件下，结温
TURE必须在abso-指定的范围内
琵琶最大额定值，以避免热关机。
以确定所述功率消耗在调节器
达到最大功率耗散（见图
16，17 ） ，使用：
T
J
= P
D
*θ
JA
+ T
A
P
D
=(V
IN
-V
OUT
)*I
OUT
+V
IN
*I
GND
其中：T
J
≤T
J（下最大）
,
T
J（下最大）
是绝对最大额定
英格斯对结点温度; V
IN
*I
GND
可以
由于它的小的值被忽略。
T
J（下最大）
150
o
C,
θ
JA
90
o
对于C / W TO- 252-2 （ 1 ）
包和160
o
C / W的SOIC - 8封装。
例如：对于2.5V版本的包装采用SOIC - 8 ，
I
OUT
= 500毫安，T
A
=50
o
C，V
IN （MAX）
是：
(150
o
C-50
o
C)/(0.5A*160
o
C/W)+2.5V=3.75V
因此，良好的性能，请确保
该输入电压低于3.75V无散热器
当T
A
=50
o
C.
AP2213
2009年11月修订版1.5
18
BCD半导体制造有限公司
