写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（其
包括编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。请参阅“字/字节配置”更多
信息。
该器件具有一个
解锁绕道
模式设施
射孔更快的编程。一旦设备进入
解锁旁路模式，只有两个写周期
编程，而不是四个字或字节，必需的。该
“字/字节编程命令序列”部分
对编程数据的详细信息到设备使用
bothstandardand ü非线性光学CK B ypasscommand
序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门
地址“包含所需的地址位
唯一选择一个部门。 “命令定义”
部分对擦除扇区或整个细节
芯片，或悬浮/恢复的擦除操作。
系统后写自选命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以读取自动选择从码
内部寄存器（它是分开的存储器
阵列）上DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用
在这种模式下。参见“自选模式”和
“自选命令序列”章节了解更多
信息。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息，并以” AC Characteris-
抽动“的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机状态，但
待机电流将更大。该设备要求
标准访问时间（t
CE
）进行读访问时，
设备是在这两种待机模式，它是前
准备读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
我
CC4
表象
货物内待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用
当地址保持稳定吨这种模式
加
+ 30
纳秒。自动睡眠模式是独立的
CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制信号。标准地址
时序进入时提供的地址是新数据
改变了。而在睡眠模式下，输出数据被锁存
并始终可用的系统。我
CC4
在直流
特性表代表了自动休眠
模式电流规范。
10
Am29LV160D
