初步
Am29LV002
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0 3.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏微处理器
s
高性能
- 全电压范围：存取时间快100
ns
为快速存取时间：稳压电压范围 -
90纳秒
s
超低功耗（在典型值
5兆赫）
- 自动休眠模式： 200 nA的
- 待机模式： 200 nA的
- 读取模式： 10毫安
- 编程/擦除模式： 20毫安
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区
- 支持对控制代码和数据存储
单设备
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
编写和验证，在特定网络版字节或字
地址
s
每个部门的典型百万的写入周期
（ 10万次最低保证）
s
封装选项
- 40针TSOP
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复功能
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件方法的设备复位到读
模式
出版＃
21191
启：
C
Amendment/+2
发行日期：
1998年3月
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