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SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
典型特征: COMMON
在+ 25 ° C, AVDD = 1.8V , DRVDD = 1.8V ,最大额定采样频率,正弦波输入时钟, 1.5V
PP
差分时钟
振幅,50%的时钟占空比, -1dBFS差分模拟输入, 1分贝增益,低等待时间模式中, DDR LVDS输出接口
和32k的点FFT ,除非另有说明。注意,在复位后,该装置是可在0dB增益模式。
CMRR在频率
-20
-
25
-
30
输入频率= 70MHz时
50mV
PP
信号叠加
在输入共模电压
(0.95V)
0
-
20
CMRR谱
f
IN
= 70MHz时
f
CM
= 10MHz时为100mV
PP
SFDR = 81dBc
振幅(F
IN
) =
-
1dBFS
振幅(F
CM
) =
-
74dBFS
振幅(F
IN
+ f
CM
) =
-
87dBFS
振幅(F
IN
-
f
CM
) =
-
86dBFS
f
CM
= 10MHz时
f
IN
= 70MHz时
振幅(分贝)
-
40
-
60
-
80
-
100
-
120
-
140
共模抑制比(分贝)
-
35
-
40
-
45
-
50
-
55
-
60
0
50
100
150
200
250
300
输入共模信号( MHz)的频率
f
IN
-
f
CM
= 60MHz的
f
IN
+ f
CM
= 80MHz的
0
25
50
75
100
125
频率(MHz)
图101 。
PSRR在频率
-20
-
25
-
30
输入频率= 10MHz时
50mV
PP
信号施加在AVDD
图102 。
谱与PSRR信号放大视图
0
-
20
f
IN
f
IN
= 10MHz时
f
PSRR
= 1MHz的
振幅(F
IN
) =
-
1dBFS
振幅(F
PSRR
) =
-
81dBFS
振幅(F
IN
+ f
PSRR
) =
-
67.7dBFS
振幅(F
IN
-
f
PSRR
) =
-
68.8dBFS
f
IN
+ f
PSRR
-
80
-
100
-
120
-
140
f
PSRR
振幅(分贝)
-
40
f
IN
-
f
PSRR
-
60
PSRR (分贝)
-
35
-
40
PSRR (DB )上AVDD电源
-
45
-
50
-
55
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
信号在AVDD ( MHz)的频率
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率(MHz)
图103 。
电源ACROSS采样频率
200
180
160
140
AVDD功率(mW )
图104 。
DRVDD电流ACROSS采样频率
70
60
LVDS , 350mV的摆动
LVDS , 200mV的摆动
DRVDD电流(mA )
50
40
30
20
功率(mW )
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
采样频率( Msps的)
DRVDD电源
350mV的LVDS
DRVDD电源
200mV的LVDS
CMOS ,驱动8pF负载电容
10
CMOS ,为6.0pF负载电容
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
采样频率( Msps的)
图105 。
图106 。
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