ADP3211 ， ADP3211A
电气特性
(V
CC
？ PV
CC
= 5.0 V ， FBRTN = GND =地线= 0 V ， H = 5.0 V，L = 0 V ，V
VID
= V
DAC
= 1.2 V,
T
A
=
10°C
至100℃ ，除非另有说明。 （注1）电流输入引脚（由设备下沉）的符号为正。
参数
R
T
电压
PWM时钟频率
范围（注2）
斜坡发生器
斜坡电压
斜坡电流范围（注2 ）
PWM比较器
PWM比较器的失调
（注2 ）
RPM比较器
当前RPM
RPM比较器的失调
（注2 ）
开关放大器
SW输入电阻
SW ZCS门槛
蒙面关断时间
R
SW
V
ZCSSW
t
OFFMSKD
测量从西南到PGND
DCM模式， DPRSLP = 3.3 V
从DRVH负边缘测量到DRVH
在操作的最大频率POS边缘
指的是驱动信号电平
逻辑低电平时，我
SINK
= 1
mA
逻辑高，我
来源
=
5
mA
V
EN， VID [6：0 ]
= 0 V
0.2 V < V
EN， VID [6：0 ]
≤
V
CC
任何VID边缘到FB变化10 ％
V
GPU
指的是驱动信号电平
逻辑低电平时，我
SINK
= 1
mA
逻辑高，我
来源
=
5
mA
GPU = L或GPU = H （静态）
0.8 V < EN < 1.6 V（过渡期）
逻辑低电平时，我
CLKEN
= 4毫安
逻辑高电平，V
CLKEN
= V
CC
4.5
EN = H
EN = L
V
CCOK
V
CCUVLO
V
CC
正在崛起
V
CC
正在下降
4.0
6.0
60
4.4
4.15
150
200
1.3
4.0
700
kW
mV
ns
零电流开关比较器
I
转
V
OSRPM
V
VID
= 1.2 V，R 1
T
= 243千瓦
另见我
转
(R
T
）公式
V
COMP
(1 + V
转
)
3.0
6.0
+3.0
mA
mV
V
OSRPM
3.0
+3.0
mV
V
坡道
I
坡道
EN = H，I
坡道
= 60
mA
EN = L
EN = H
EN = L ， RAMP = 19 V
0.9
1.0
0.5
1.0
V
IN
1.1
100
+0.5
V
mA
符号
V
RT
f
CLK
条件
R
T
= 243千瓦，V
VID
= 1.2 V
又见V
RT
(V
VID
）公式
感兴趣的操作
民
1.08
0.3
典型值
1.2
最大
1.35
3.0
单位
V
兆赫
脉宽调制器
时钟振荡器
系统I / O缓冲器
EN和VID [6：0 ]输入量
输入电压
V
EN， VID [6：0 ]
0.3
10
1.0
V
1.0
输入电流
VID的延迟时间（注2）
GPU的输入
输入电压
I
EN， VID [6：0 ]
nA
mA
ns
V
4.0
10
70
30
0.3
输入电流
CLKEN输出
输出低电压
输出高，漏电流
供应
电源电压范围
电源电流
V
CC
确定阈值
V
CC
UVLO阈值
V
CC
迟滞（注2 ）
I
GPU
nA
mA
300
3.0
5.5
10
200
4.5
mV
mA
V
mA
mA
V
V
mV
V
CLKEN
I
CLKEN
V
CC
1.所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制（ SQC ）保证。
2.设计或平台特性保证，未经生产测试。
http://onsemi.com
7
