ADL5365
电路描述
在ADL5365由两个主要部分组成：单选
射频（RF）子系统和本地振荡器（LO）的子系统。
设计，加工和包装技术的组合
允许这些子系统的功能集成
成一个单一的模具，使用成熟的封装和互连
技术，提供一种高性能，低成本的设计
具有优良的电，机械和热性能。
此外，需要外部元件被最小化，
优化的成本和尺寸。
射频子系统包括一个集成的，低损耗RF不平衡变压器，
被动的MOSFET混频器，和一个总和终端网络。
本振子系统由一个SPDT端接FET开关
和一个三阶段的限制LO放大器。 LO的目的
子系统是提供一个大的固定振幅，平衡信号
以驱动混频器独立于LO输入的电平。
该装置的框图如图49所示。
VCMI
20
将得到的平衡RF信号被施加到一个无源混频器
该整流RF输入与LO子系统的输出。
无源混频器本质上是一个平衡的，低损耗开关
添加最小噪声的频率转换。唯一
来自混频器的噪声贡献是由于电阻损耗
的开关，它是在几欧姆。
作为混频器本质上是宽带和双向的，它
要正确地终止所有的惰轮（ M×N个产品）
通过在混合过程中产生的频率。终止
混频器避免不必要的互调的产生
产品并且减少了不需要的信号在IF的水平
输出。这种终止是通过加入一个实现
中频输出与混频器之间的网络之和。
的IP3性能可以通过调节供给进行优化
电流通过一个外部电阻。图37和图39
说明偏置电阻如何影响各种使用性能
5 V电源。此外，直流电流可以保存通过增加
电阻器。这是允许的，以减少直流电源电压
低至3.3 V ，从而进一步降低的损耗功率
的一部分。 （注意，没有性能增强是通过获得
降低这些电阻和过量的直流功率的值
可能会造成损耗。 ）
IFOP
19
IFon
18
PWDN
17
COMM
16
ADL5365
VPMX
1
15
LOI2
RFIN
2
14
VPSW
LO子系统
所述LO放大器被设计为提供大的信号电平，以
混频器，以获得最佳的互调性能。
由此产生的放大器提供了极高的性能
中心的1700兆赫兹的工作频率。最好的
操作实现了与任何高端LO注入的RF
在1200兆赫至1700兆赫的范围或低边注入信号
在1700兆赫兹至2500兆赫范围的RF信号。手术
这些范围之外的是允许的，并且转换增益是
极其宽带，轻松跨越1200 MHz至2500 MHz的，
但互调是最佳超过上述范围。
在ADL5365有两个LO输入端允许多个合成器
要快速切换用极短的开关时间
（ <40 NS）的频率捷变的应用程序。两个输入
施加到一个高隔离单刀双掷开关，它提供一个恒定的
输入阻抗，而不管是否在端口的选择，以
避免拉扯的LO源。这种多段开关还
确保高隔离到断开输入，最小化任何泄漏
从不需要的LO输入，可能会导致不期望的中频那
反应。
的单端LO输入被转换为一固定振幅
使用差分信号多级，限制LO放大器。
这导致了稳定的性能的范围内的LO输入的
力。最佳的性能，从-6 dBm的实现，以
10 dBm的，但电路继续运行在显
较低水平的LO输入功率。
RFCT
3
BIAS
发电机
COMM
4
13
VGS1
12
VGS0
COMM
5
6
7
8
9
10
11
LOI1
NC =无连接
图49.原理示意图
射频子系统
单端50 Ω RF输入在内部变换到一个
使用低损耗（ <1分贝）平衡信号不平衡到平衡
（不平衡变压器）变压器。这个变压器是可能由一个
极低损耗金属堆栈，它同时提供优良的
平衡和直流隔离的RF端口。虽然该端口可以
将直流连接时，则建议阻塞电容器是
用于避免在运行过度直流电流通过的部分。
该RF平衡 - 不平衡变换器可以轻松支持RF输入频率范围
1200兆赫到2500兆赫。
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08082-051
VLO3
LGM3
VLO2
LOSW
NC
