ADG1608/ADG1609
特定网络阳离子
± 5 V双电源供电
V
DD
= +5 V ± 10%, V
SS
= -5V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
ADG1608
ADG1609
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声（ THD + N）
-3 dB带宽
ADG1608
ADG1609
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG1608
ADG1609
C
D
, C
S
（上）
ADG1608
ADG1609
电源要求
I
DD
V
DD
/V
SS
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
测试条件/评论
4.5
5
0.12
0.25
1
1.3
±0.02
±0.1
±0.03
±0.15
±0.15
±0.03
±0.15
7
0.3
1.7
8
0.35
2
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安;参见图25
V
DD
= ±4.5 V, V
SS
= ±4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5
V ;参见图26
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5
V ;参见图26
±0.5
±2
±1
±2
±3
±14
±7
±14
2.0
0.8
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
nA的典型值
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ;参见图27
±1
±0.1
4
150
182
106
132
113
144
47
24
64
64
0.04
40
71
20
120
61
153
85
0.001
1.0
±3.3/±8
V
IN
= V
GND
或V
DD
230
150
178
258
160
202
30
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图28
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图30
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图30
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2.5 V ;参见图29
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图31
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图34
R
L
= 110 Ω, V
S
= 5V峰 - 峰值中，f = 20 Hz至20 kHz ;见图35
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图33
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
通过设计保证，但未经生产测试。
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