ADG1419
特定网络阳离子
± 15 V双电源供电
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
2.1
2.4
0.05
0.2
0.4
0.5
±0.1
±0.5
±0.2
±0.6
±0.2
±1
2.8
0.25
0.6
3.2
0.3
0.65
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
S
= ± 10 V ;参见图23
V
S
= ±10 V, V
S
= ± 10 V ;参见图23
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图24
±2
±3
±3
±75
±100
±100
2.0
0.8
0.005
±0.1
4
130
155
85
110
115
140
15
16
64
64
0.016
135
0.16
19
44
114
V
IN
= V
GND
或V
DD
190
125
160
220
140
180
8
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图27
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图27
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图26
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;
见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图29
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图30
R
L
= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz到20 kHz ;
参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图31
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
参见图31
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
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