AD7949
外部参考和内部缓冲
为提高漂移性能，外部基准可以是
与内部缓冲器使用的，如示于图31。
外部源连接到REFIN ，输入到芯片上的
单位增益缓冲器，并且该输出上产生REF引脚。
外部参考可以与内部缓冲器中使用
或不带温度传感器启用。参考表9，用于
注册的详细信息。启用了缓冲，增益团结
被限制为VDD的输入/输出= -0.2伏;然而，该
最大允许电压必须≤ （ VDD - 0.5 V ） 。
内部基准电压缓冲器在多应用程序很有用
阳离子因为一个缓冲器，通常需要在这些应用。
此外，低功率参考值可以被使用，因为该
内部缓冲器提供了必要的性能来驱动
SAR架构的AD7949的。
参考源
≤
（ VDD - 0.5V ）
10F
REF
100nF
REFIN
参考脱钩
无论是使用内部或外部参考， AD7949
参考电压输出/输入，REF具有动态输入
阻抗，因此应通过一个低阻抗驱动
源与REF和GND之间的有效解耦
销。这种脱钩取决于电压的选择
参考，但通常由低ESR电容的连接
到REF和GND以最小的寄生电感。一个10μF
（ X5R ， 1206尺寸）陶瓷芯片电容器是在适当的时候
使用内部参考，电压源ADR43x / ADR44x外部
参考，或一个低阻抗缓冲器，如
AD8031
or
该
AD8605.
参考去耦电容的放置也祁门功夫，功夫
坦的AD7949的性能，如在说明
布局部分。安装去耦电容在同一侧
作为ADC的REF引脚厚厚的PCB走线。在GND
也应该连接到参考去耦电容器
以最短的距离和到模拟接地平面与
几个孔。
如果需要的话，小的参考去耦电容值下降
2.2 μF可以对性能影响最小的使用，
特别是DNL 。
无论如何，没有必要额外价值较低的陶瓷
在REF之间的去耦电容（例如， 100 nF的）
和GND引脚。
对于使用多个AD7949器件或其它应用
的PulSAR器件中，更有效的是使用内部参考
缓冲到缓冲的外部参考电压，从而降低了
SAR转换串扰。
电压基准的温度系数（ TC ）直接
影响满量程;因此，在应用中的满量程
精度问题，必须注意与TC 。例如，
±10 PPM /引用的℃， TC为± 1 LSB /°C的满量程变化。
AD7949
温度
GND
图31.外部参考使用内部缓冲器
外部参考
在任何六个电压参考方案中，外部参考
可以直接连接在REF引脚，如图32
因REF的输出阻抗为>5 kΩ的。为了降低功耗
消费，基准和缓冲器应断电。
对于需要使用的温度传感器的应用中，
内部基准电压必须处于活动状态（内部缓冲器可以是
在这种情况下，禁用）。请参阅表9寄存器的详细信息。为
改进的漂移性能，外部基准如
ADR43x
or
ADR44x
值得推荐。
10F
参考源
0.5V < REF < （ VDD + 0.3V ）
无连接
需要
REFIN
REF
AD7949
温度
07351-031
GND
图32.外部参考
需要注意的是最佳的信噪比达到了500 V外部基准
作为内部参考被限制为4.096 V的信噪比
降解如下：
SNR
损失
½
20日志
4.096
5
07351-032
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