AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
V
OUT
I
OUT
I
GND
V
IN （MAX）
= 3.0V
= 500毫安
= 150μA
526mW + （ 3.0V
×
500mA)
=
500毫安+ 150μA
对于一个500mA的输出电流和一个1.2伏的压降
横跨AAT3236在环境温度
25℃时，最大导通时间占空比的
设备将是87.57 ％ 。
曲线的下面显示家庭安全能操作
阿婷面积从环境税，循环操作
室温至最高工作水平。
器件的占空比与V
降
(V
OUT
= 2.5V @ 25°C ）
3.5
V
IN （MAX）
= 4.05V
从上面的讨论，磷
D（最大）
为阻止 -
开采等于526mW在T
A
= 25°C.
因此， AAT3236可以维持一个恒定的3V输出
在500mA的负载电流，只要V
IN
is
≤
在4.05V
的25 ℃的环境温度下进行。
更高的输入至输出电压差可以
与AAT3236获得，同时保持设备
热安全工作范围内的功能。对
实现此目的，该设备的热阻必须
通过提高散热区或通过减小
工作在占空比循环模式的LDO稳压器。
例如，一个应用程序需要V
IN
= 4.2V
而V
OUT
= 3.0V在500mA的负载电流和T
A
= 25°C.
V
IN
大于4.05V ，这是最大
安全连续输入电平为V
OUT
= 3.0V时
500毫安对于T
A
= 25°C 。为了维持这种高投入
电压和输出电流的电平，LDO调节器
必须在一个占空比循环模式进行操作。请参阅
下面的计算占空比工作：
I
GND
= 150μA
I
OUT
V
IN
= 500毫安
= 4.2V
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
电压降（V）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
200毫安
500毫安
400毫安
300毫安
90
100
占空比（ ％ ）
器件的占空比与V
降
(V
OUT
= 2.5V @ 50 ℃）的
3.5
电压降（V）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
200毫安
500毫安
400毫安
300毫安
百毫安
70
80
90
100
占空比（ ％ ）
器件的占空比与V
降
(V
OUT
= 2.5V @ 85°C ）
V
OUT
= 3.0V
电压降（V）的
P
D（最大）
％ DC = 100
(V
IN
- V
OUT
)I
OUT
+ (V
IN
×
I
GND
)
％ DC = 100
526mW
（ 4.2V - 3.0V ） 500毫安+ （ 4.2V
×
150μA)
百毫安
200毫安
500毫安
400毫安
10
20
％ DC = 87.57 ％
P
D（最大）
被假设为526mW 。
300毫安
30
40
50
60
70
80
90
100
占空比（ ％ ）
12
3236.2007.03.1.4
