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ProASIC3E直流和开关特性
用户I / O特性
时序模型
I / O模块
（非注册）
组合电池
Y
t
PD
= 0.56纳秒
t
PD
= 0.49纳秒
t
DP
= 1.36纳秒
I / O模块
（非注册）
组合电池
Y
LVPECL
组合电池
Y
t
PD
= 0.87纳秒
组合电池
Y
I / O模块
（注册）
t
PY
= 1.22纳秒
t
PD
= 0.51纳秒
LVPECL
D
Q
组合电池
Y
t
ICLKQ
= 0.24纳秒
t
ISUD
= 0.26纳秒
输入LVTTL / LVCMOS
时钟
寄存器单元
t
PY
= 0.90纳秒
D
I / O模块
（非注册）
LVDS ，
BLVDS ，
M- LVDS
t
PY
= 1.36纳秒
t
CLKQ
= 0.55纳秒
t
SUD
= 0.43纳秒
输入LVTTL / LVCMOS
时钟
t
PY
= 0.90纳秒
Q
t
PD
= 0.47纳秒
组合电池
Y
t
PD
= 0.47纳秒
t
DP
= 2.74纳秒
I / O模块
（非注册）
LVTTL / LVCMOS
输出驱动强度= 12毫安
高转换率
t
DP
= 2.39纳秒
LVTTL / LVCMOS
输出驱动强度= 24毫安
高转换率
I / O模块
（非注册）
1.5V LVCMOS
输出驱动强度= 12毫安
高压摆
t
DP
= 3.30纳秒
寄存器单元
D
Q
D
I / O模块
（注册）
Q
GTL + 3.3V
t
DP
= 1.53纳秒
t
CLKQ
= 0.55纳秒
t
SUD
= 0.43纳秒
输入LVTTL / LVCMOS
时钟
t
PY
= 0.90纳秒
t
CLKQ
= 0.59纳秒
t
SUD
= 0.31纳秒
图2-2
时序模型
工作条件： -2速度，商业级温度范围（T
J
= 70 ° C） ，最坏情况
V
CC
= 1.425 V
2 -1 2
v1.2
