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的ProASIC3 DC和开关特性
表2-52
2.5 V LVCMOS摆低
商业案例的条件：T已
J
= 70 ° C，最坏情况下的V
CC
= 1.425 V，最差情况下的V
CCI
= 2.3 V
适用于高级I / O组
DRIVE
实力
4毫安
速度
GRADE
–F
标准。
–1
–2
6毫安
–F
标准。
–1
–2
8毫安
–F
标准。
–1
–2
12毫安
–F
标准。
–1
–2
16毫安
–F
标准。
–1
–2
24毫安
–F
标准。
–1
–2
t
DOUT
0.72
0.60
0.51
0.45
0.72
0.60
0.51
0.45
0.72
0.60
0.51
0.45
0.72
0.60
0.51
0.45
0.72
0.60
0.51
0.45
0.72
0.60
0.51
0.45
t
DP
13.69
11.40
9.69
8.51
9.56
7.96
6.77
5.94
9.56
7.96
6.77
5.94
7.42
6.18
5.26
4.61
6.92
5.76
4.90
4.30
6.61
5.51
4.68
4.11
t
DIN
0.05
0.04
0.04
0.03
0.05
0.04
0.04
0.03
0.05
0.04
0.04
0.03
0.05
0.04
0.04
0.03
0.05
0.04
0.04
0.03
0.05
0.04
0.04
0.03
t
PY
1.57
1.31
1.11
0.98
1.57
1.31
1.11
0.98
1.57
1.31
1.11
0.98
1.57
1.31
1.11
0.98
1.57
1.31
1.11
0.98
1.57
1.31
1.11
0.98
t
EOUT
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
t
ZL
13.48
11.22
9.54
8.38
9.74
8.11
6.90
6.05
9.74
8.11
6.90
6.05
7.56
6.29
5.35
4.70
7.05
5.87
4.99
4.38
6.61
5.50
4.68
4.11
t
ZH
13.69
11.40
9.69
8.51
9.39
7.81
6.65
5.84
9.39
7.81
6.65
5.84
7.11
5.92
5.03
4.42
6.64
5.53
4.70
4.13
6.61
5.51
4.68
4.11
t
LZ
3.22
2.68
2.28
2.00
3.66
3.05
2.59
2.28
3.66
3.05
2.59
2.28
3.97
3.30
2.81
2.47
4.04
3.36
2.86
2.51
4.13
3.43
2.92
2.56
t
HZ
2.65
2.20
1.88
1.65
3.47
2.89
2.46
2.16
3.47
2.89
2.46
2.16
3.99
3.32
2.83
2.48
4.13
3.44
2.92
2.57
4.65
3.87
3.29
2.89
t
ZLS
16.16
13.45
11.44
10.05
12.43
10.34
8.80
7.72
12.43
10.34
8.80
7.72
10.25
8.53
7.26
6.37
9.74
8.11
6.90
6.05
9.30
7.74
6.58
5.78
t
ZHS
16.38
13.63
11.60
10.18
12.07
10.05
8.55
7.50
12.07
10.05
8.55
7.50
9.80
8.15
6.94
6.09
9.32
7.76
6.60
5.80
9.30
7.74
6.59
5.78
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
对于具体的结点温度和电源电压电平，参见
表2-6 2-6页
对于降级
值。
2 -4 0
v1.3
