903
T
美东时间
高速比较
T
ABLE
3. AC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= +5V, V
EE
= -5V ，L
ATCH
= L
逻辑
H
室内运动场
, T
A
= T
分钟
T
最大
,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
锁存器来禁用
输出高延迟
锁存器来禁用
输出低延时
最小建立时间
最小保持时间
最小的锁
禁止脉冲宽度
1.设计保证。
S
YMBOL
TPD +
Tpd-
ts
th
TPW
C
ONDITIONS
2
S
UB
G
ROUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
M
IN
T
YP
10
12
2
1
10
M
AX
U
尼特
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
2
2
2.由于切换涉及闩测量的困难和重要的性质，这些参数不能
在生产环境中进行测试。列出的典型规格是从测量使用的是高取
速度测试夹具。
内存
T
ABLE
4.直流ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= +5V, V
EE
= -5V ，L
ATCH
= L
逻辑
H
室内运动场
, T
A
= T
分钟
T
最大
U
NLESS
O
THERWISE
S
PECIFIED
)
P
ARAMETER
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
S
YMBO
L
T
美东时间
C
ONDITIONS
V
CM
= 0V,
V
O
= 1.4V
I
IN +
还是我
IN-
V
CM
= 0V,
V
O
= 1.4V
1
S
UBGROUP
S
M
IN
--
--
--
V
EE
-
0.1
--
T
YP
2
6
200
--
120
M
AX
6
15
800
V
CC
-
2.25
500
U
尼特
mV
A
nA
V
V/V
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
-5V < V
CM
＆ LT ;
+2.75,
V
O
= 1.4V,
2
2
电源抑制比
输出高电压
输出低电压
锁存输入电压高
锁存输入电压低
锁存输入电流高
锁存输入电流低
PSRR
V
OH
V
OL
V
LH
V
LL
I
LH
I
LL
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
2.4
--
--
0.8
--
--
150
3.5
0.3
1.4
1.4
1
1
500
--
0.4
2.0
--
20
20
V/V
V
V
V
V
A
A
V
IN
>为250mV ，
I
SRC
= 1毫安
V
IN
>为250mV ，
I
SINK
= 8毫安
V
LH
= 3.0V
V
LL
= 0.3V
02年9月12日REV 1
1, 2, 3
1, 2, 3
所有数据表如有变更，恕不另行通知
3
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