恩智浦半导体
74LVC132A
四2输入与非施密特触发器
11.动态特性
表7中。
动态特性
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
图7 。
符号参数
t
pd
传播延迟
条件
呐， NB到纽约;看
图6
V
CC
= 1.2 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
t
SK （ O）
C
PD
输出偏移时间
功耗
电容
每个缓冲区; V
I
= GND到V
CC
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
[1]
[2]
[3]
[4]
[3]
[4]
[2]
40 °C
+85
°C
民
-
2.0
1.5
1.5
1.5
-
-
-
-
典型值
[1]
18.0
7.2
4.0
3.8
3.4
-
10.5
10.8
11.4
最大
-
12.8
7.6
7.6
6.4
1.0
-
-
-
40 °C
+125
°C
单位
民
-
2.0
1.5
1.5
1.5
-
-
-
-
最大
-
16.0
9.6
9.6
8.0
1.5
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
典型值是在T测
AMB
= 25
°C
和V
CC
分别= 1.2 V， 1.8 V ， 2.5 V ， 2.7 V和3.3 V 。
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
在相同的方向相同的包交换的任何两个输出间偏差。此参数为设计保证。
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
12.波形
呐， NB输入
V
M
t
PHL
t
PLH
纽约输出
V
M
mna213
V
M
= 1.5 V在V
CC
≥
2.7 V.
V
M
= 0.5
×
V
CC
在V
CC
< 2.7 V.
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压的下降。
图6.输入（NA ， NB）到输出（纽约州）的传播延迟
74LVC132A_1
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牧师01 - 二〇〇六年十二月一十五日
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