恩智浦半导体
74HC259 ; 74HCT259
8位可寻址锁存器
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
C
I
输入
电容
高位
输入电压
低电平
输入电压
高位
输出电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A
I
O
=
4.0
mA
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 5.2毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
I
CC
输入漏
当前
电源电流
另外
电源电流
V
I
= V
CC
或GND ;
V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A;
其他输入在V
CC
或GND ;
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
脚的， LE
针D
引脚MR
C
I
输入
电容
-
-
-
-
150
120
75
3.5
540
432
270
-
-
-
-
-
675
540
338
-
-
-
-
-
735
588
368
-
A
A
A
pF
-
-
-
-
0
0.15
-
-
0.1
0.26
±0.1
8.0
-
-
-
-
0.1
0.33
±1
80
-
-
-
-
0.1
0.4
±1
160
V
V
A
A
4.4
3.98
4.5
4.32
-
-
4.4
3.84
-
-
4.4
3.7
-
-
V
V
条件
民
-
25
°C
典型值
3.5
最大
-
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
-
最大
-
民
-
最大
-
pF
74HCT259
V
IH
V
IL
V
OH
2.0
-
1.6
1.2
-
0.8
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
74HC_HCT259_4
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牧师04 - 2009年2月25日
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