恩智浦半导体
74HC1G32 ; 74HCT1G32
2输入或门
表7中。
静态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
I
CC
I
CC
C
I
参数
电源电流
新增供应
当前
输入电容
条件
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入; V
CC
= 4.5 V至5.5 V ;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A
40 °C
+85
°C
民
-
-
-
典型值
-
-
1.5
最大
10
500
-
40 °C
+125
°C
民
-
-
-
最大
20
850
-
A
A
pF
单位
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
≤
6.0纳秒。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.对于测试电路见
图6
符号参数
74HC1G32
t
pd
传播延迟A和B为Y ;看
图5
V
CC
= 2.0 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 4.5 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
V
CC
= 6.0 V ;
L
= 50 pF的
C
PD
功耗V
I
= GND到V
CC
电容
传播延迟A和B为Y ;看
图5
V
CC
= 4.5 V ;
L
= 50 pF的
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
C
PD
功耗V
I
= GND到V
CC
1.5 V
电容
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
[2]
[2]
[1]
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
单位
民
最大
-
-
-
-
-
18
8
8
7
19
115
23
-
20
-
-
-
-
-
-
135
27
-
23
-
ns
ns
ns
ns
pF
74HCT1G32
t
pd
[1]
-
-
-
10
10
20
24
-
-
-
-
-
27
-
-
ns
ns
pF
[1]
[2]
74HC_HCT1G32_5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2008年3月14日
5 11
