恩智浦半导体
74HC594 ; 74HCT594
8位的移位寄存器，输出寄存器
表8 。
动态特性输入74HC594
- 续
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的;看
图15 。
符号
C
PD
参数
动力
耗散
电容
条件
民
V
I
= GND到V
CC
;
V
CC
= 5 V;
f
i
= 1兆赫
[2]
25
°C
典型值
84
最大
-
-
40 °C
+85
°C
民
-
最大
-
40 °C
+125
°C
单位
民
-
最大
-
pF
[1]
[2]
t
pd
是相同为T
PHL
和T
PLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
表9 。
动态特性类型74HCT594
GND = 0 V ;
V
CC
= 4.5 V;
t
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的;看
图15 。
符号
t
pd
参数
传播
延迟
条件
民
SHCP到Q7S ;
SEE
图9
V
CC
= 5.0 V;
C
L
= 15 pF的
STCP至Qn ;看
图10
V
CC
= 5.0 V;
C
L
= 15 pF的
t
PHL
高
低
传播
延迟
SHR到Q7S ;看
图13
V
CC
= 5.0 V;
C
L
= 15 pF的
STR至Qn ;看
图14
V
CC
= 5.0 V;
C
L
= 15 pF的
t
THL
高
低输出
过渡
时间
SEE
图9
串行数据输出Q7S
V
CC
= 4.5 V
并行数据输出
V
CC
= 4.5 V
t
TLH
-
5
12
-
15
-
18
ns
SEE
图9
低
高输出
串行数据输出Q7S
过渡
-
V
CC
= 4.5 V
时间
并行数据输出
V
CC
= 4.5 V
74HC_HCT594_3
25
°C
典型值
18
15
18
15
17
14
17
14
最大
32
-
32
-
30
-
30
-
[1]
40 °C
+85
°C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
-
40
-
38
-
38
-
40 °C
+125
°C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
48
-
48
-
45
-
45
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
15
-
19
-
22
ns
7
5
15
12
-
-
19
15
-
-
22
18
ns
ns
-
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牧师03 - 二零零六年十二月二十日
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