恩智浦半导体
74HC1G32 ; 74HCT1G32
2输入或门
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND（地= 0V）。所有典型值是在T测
AMB
= 25
°
C.
符号
74HC1G32
V
IH
高级别输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入
电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
OH
高电平的输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
=
2.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
2.6
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
I
O
= 20
A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A;
V
CC
= 6.0 V
I
O
= 2.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 2.6毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
I
V
IH
V
IL
V
OH
输入漏电流
电源电流
输入电容
高级别输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A
I
O
=
2.0
mA
V
OL
低电平输出
电压
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
A
I
O
= 2.0毫安
I
I
输入漏电流
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 5.5 V
-
-
-
0
0.15
-
0.1
0.33
1.0
-
-
-
0.1
0.4
1.0
V
V
A
4.4
4.13
4.5
4.32
-
-
4.4
3.7
-
-
V
V
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
-
0
0
0
0.15
0.16
-
-
1.5
1.6
1.2
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.0
10
-
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
1.0
20
-
-
0.8
V
V
V
V
V
A
A
pF
V
V
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
2.0
4.5
6.0
4.32
5.81
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
参数
条件
40 °C
+85
°C
民
典型值
最大
40 °C
+125
°C
民
最大
单位
74HCT1G32
74HC_HCT1G32_5
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产品数据表
牧师05 - 2008年3月14日
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