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HY628400系列
512Kx8bit CMOS SRAM
描述
该HY628400是一种高速，低功耗和
4M比特组织为524,288 CMOS SRAM
字由8位。该HY628400采用现代的
高性能的双桶CMOS工艺
技术，并且被设计用于高速和
低功耗电路技术。这是格外好
适合于在高密度且低功耗的
系统的应用程序。此装置有一个数据
保留模式，保证数据保持
在最低的电源电压有效
2.0V.
产品
电压
速度
手术
号
(V)
（纳秒）
电流（mA ）
HY628400
5.0
55/70/85
10
注1.正常：正常温度
2.电流值最大。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池（L / LL -部分）
- 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 32引脚525mil SOP
- 32引脚400mil TSOP- II
（标准和反向）
待机电流（ UA）
L
LL
100
30
温度
(°C)
0~70(Normal)
引脚连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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14
15
16
32
31
30
29
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24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
SOP
TSOP -II （标准）
TSOP -II （反向）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A18
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(5.0V)
地
框图
A0
添加输入缓冲器
列解码器
SENSE AMP
行解码器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
A18
控制
逻辑
/ CS
/ OE
/ WE
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.04 /Jan.99
韩国现代半导体公司
写入驱动器
存储阵列
1024x4096
