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稍有不同的格式，由于电子的转换过程。实际的技术内容将是相同的。

文档和流程转换

必要的措施以符合本次修订

由1999年8月21日完成

英制

MIL-PRF-19500/565B

1999年5月21日

取代

MIL-S-19500/565A

1987年10月7日

性能规格表

半导体器件，场效应管， P- CHANNEL ，

硅类型2N6895 ， 2N6896 ， 2N6897 ，和2N6898

JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS

该规范被批准用于所有Depart-使用

ments和国防部的机构。

1.范围

1.1适用范围。本说明书中涉及的P沟道增强模式，MOSFET功率晶体管的性能要求。

提供给每个封装的器件类型的四个层次的产品保证在MIL -PRF- 19500规定。

1.2物理尺寸。见图1和图2中， TO- 205AF （以前的TO- 39）为2N6895 ，TO- 204AA为2N6896和2N6897 ;和

TO- 204AE为2N6898 （原于： - 3）。

1.3最大额定值。除非另有说明， TA = + 25 ℃。

TYPE

PT 1 /

PT

TC = + 25°C TA = + 25°C

W

2N6895

2N6896

2N6897

2N6898

8.33

60

100

150

W

0.6

4

4

4

VDS

VDG

VGS

ID2 2 /

ID1 2 /

TC = + 25°C TC = + 100°C

直流

1.16

6.0

12

25

直流

0.74

3.8

7.6

15.8

IS

IDM

TJ和

TSTG

°C

-55到+150

V DC

100

V DC

100

V DC

±20

直流

1.16

6.0

12

25

A（ PK）

5

20

30

60

1 /减免线性TC > + 25 °C - 2N6895 （ 0.067 W / ° C） ， 2N6896 （ 0.48 W / ° C） ， 2N6897 （ 0.8 W / ° C） ， 2N6898 （ 1.2 W / ° C） 。

2 /减免上述TC = 25

°C

根据下式

其中，P （额定） = PT - （ TC = -25 ）（ W / ℃）瓦特;

K =最大

DS （ ON）

在TJ = + 150°C 。

I

D

=

P

(

评级

)

K

有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能会使用改进本文档

应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，联系人： DSCC增值税， 3990东宽街，哥伦布，俄亥俄州

43216-5000 ，通过使用寻址标准化文献改进建议（DD表格1426 ）出现在此结束

文档或字母。

美国超导公司N / A

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

FSC 5961