功能性器件操作
逻辑命令和寄存器
器件寄存器寻址
以下部分描述了可能的寄存器
地址及其对设备的操作的影响。
地址X000 - 状态寄存器（ STATR ）
该STATR寄存器用来读取设备状态和
而不破坏各种配置寄存器的内容
该设备的操作或寄存器的内容。该寄存器的位
D2： D0，确定的第一个八位的SO数据的内容。
当寄存器的内容是特定的两个输出中的一个，位
D7被用于选择所需的输出（ SOA3 ） 。此外
设备状态，此功能提供了阅读的能力
在OCR ， SOCHLR ， CDTOLR ， DICR ， OSDR的内容，
WDR ， NAR和UOVR寄存器。 （具体请参考
标题
串行输出通信（设备状态返回
数据））。
地址X001 - 输出控制寄存器（ OCR ）
该OCR寄存器允许MCU来控制输出
通过SPI 。收到的消息位D0反映
高侧输出HS0 （ IN0_SPI ）的理想状态：一个
逻辑[ 1]使输出开关和一个逻辑[ 0 ]打开它
OFF 。在消息位D1的逻辑[ 1]使当前
感（ CSNS ）引脚。同样，传入的消息比特D2
体现了高侧输出HS1的理想状态
（ IN1_SPI ） ：逻辑[ 1]使输出开关和一个逻辑[ 0 ]
将其关闭。在消息位D3的逻辑[ 1]使
CSNS引脚。在于，所述电流检测被使能用于事件
两个输出端，该电流将被相加。 D7位是用来
喂看门狗，如果启用。
地址x010-选择过电流高，低
注册（ SOCHLR ）
该SOCHLR寄存器允许MCU配置
输出过电流低和高的检测水平，
分别。每个输出被独立地选择为
基于对D7位的状态配置;在写这
注册时， D7为逻辑[0]设置当前
检测水平的HS0 。同样，如果D7为逻辑[ 1 ]时
该寄存器执行写操作， HS1配置。每个输出可
构造成不同的等级。除了保护
设备，这种缓慢的熔保险丝仿真功能可用于
优化的负载要求匹配系统
的特点。位D2 ： D0设定过电流检测低
级为8个可能电平之一，如图
表10 。
位D3设定过电流高的检测电平，以两个一
水平，其被描述于表
11.
表10.过电流低检测水平
SOCL2
(D2)
SOCL1
(D1)
SOCL0
(D0)
过电流检测低
（安培）
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
12.5
11.25
10.0
8.75
7.5
6.25
5.0
3.75
表11.过电流较高的检测水平
SOCH （ D3）的
过电流检测高
（安培）
0
1
50
37.5
地址X011 - 电流检测时间和负载开路
注册（ CDTOLR ）
该CDTOLR寄存器用于由MCU来确定
的时间量的装置将允许过电流低
输出锁存器之前关闭情况发生。每路输出
基于状态独立地选择用于配置
的D7位。写入该寄存器时，第7位为逻辑[0]
配置超时时间HS0 。同样，如果D7为逻辑[ 1 ]
当该寄存器被写入，然后HS1配置。位
D1 ： D0允许MCU来选择四种故障1消隐
在规定的时间
表12 。
请注意，这些超时适用
只对过电流低检测水平。如果所选择的
过电流到达高水位，则设备将锁断
在20
μ
s
.
表12.过电流低检测消隐时间
OCLT [1 ：0]的
定时
00
01
10
11
155ms
10ms
1.2ms
150
μ
s
的逻辑[1]位D2禁用过电流低
（ CD_dis ）检测超时功能。的逻辑[1]位D3
禁止开路负载（OL）检测功能。
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模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
