30CTH02/30CTH02FP
日前，Vishay高功率产品
10
超快整流器，
2× 15 A FRED铂
TM
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
0.01
0.00001
.
10
0.0001
0.001
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 最大热抗Z
thJC
特性（ FULL -PAK ）
180
25
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
RMS限制
20
170
DC
160
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
15
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
10
150
见注（ 1 ）
140
0
5
10
15
20
25
5
DC
0
0
5
10
15
20
25
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
180
100
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 8 - 正向功率损耗特性
允许外壳温度（ ℃）
170
160
150
140
130
120
110
100
0
5
10
15
20
25
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
见注（ 1 ）
10
100
DC
I
F
= 15 A
t
rr
（纳秒）
V
R
= 160
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 7 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（ FULL- PAK ）
(1)
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 9 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D）的（参见图8） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93014
修订： 05 09月08
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