SMD型
晶体管
IC
100V N沟道PowerTrench MOSFET的
KDD3670
TO-252
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
34 A， 100 V
DS （ ON）
= 32m
R
DS （ ON）
= 35m
@ V
GS
= 10 V
+0.2
9.70
-0.2
低栅极电荷（ 57 NC典型值）
开关速度快
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
1.门
2.漏
3.源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流连续（注1 ）
漏电流脉冲
功率耗散@ T
C
=25
功率耗散@ T
a
=25
功率耗散@ TA = 25
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
T
J
, T
英镑
R
R
JC
JA
符号
V
DSS
V
GS
I
D
等级
100
20
34
100
83
单位
V
V
A
A
P
D
3.8
1.6
-55至175
1.8
96
W
工作和存储温度
热阻结到外壳
热阻结到环境
/W
/W
3
.8
0
@ V
GS
= 6 V
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
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