INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD817
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
=0
6
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
=0
600
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.2A ;我
B
=0.3A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 1.2A ;我
B
=0.3A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=800V;I
E
=0
10
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
ON
MIC
E
OR
DUT
10
30
2
