SMD型
功率晶体管
2SD2114K
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高直流电流增益。
高发射极 - 基极电压。
低V
CE （SAT）
.
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单脉冲Pw = 100毫秒。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
25
20
12
0.5
1 *
0.2
150
-55到+150
W
单位
V
V
V
A
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容*
跃迁频率
输出导通电阻
*采用脉冲电流测量。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=10ìA
I
C
=1mA
I
E
=10ìA
V
CB
=20V
V
EB
=10V
0.18
820
350
8.0
0.8
Testconditons
民
25
20
12
0.5
0.5
0.4
2700
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE （ SAT ）
I
C
/I
B
=500mA/20mA
h
FE
f
T
C
ob
R
on
V
CE
= 3V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
B
= 1mA时， VI = 100mV的（ RMS）中，f = 1kHz时
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
V
820 1800
BB
W
1200 2700
0-0.1
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