SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 500毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1.2A
I
C
= 5A ;我
B
=1.2A
V
CB
= 1000V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
f
T
V
F
t
s
t
f
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
二极管的正向电压
贮存时间
I
C
=5A;I
B1
=-I
B2
=1.2A;L
泄漏
=5H
下降时间
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=10V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=0.5MHz
I
C
= -6A ，我
B
=0
8
4.5
民
7
2SD2057
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
典型值。
最大
单位
V
8.0
1.5
30
0.3
V
V
A
mA
15
2
-2.3
12
0.8
兆赫
V
s
s
2
