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GAL26V12
高性能ê
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑
TM
特点
高性能ê
2
CMOS
技术
- 7.5 ns的最大传播延迟
- 最大频率= 142.8兆赫
- 4.5 ns最大时钟输入到数据输出
- TTL兼容的16 mA输出
- UltraMOS
先进的CMOS技术
低功耗CMOS
- 90 mA典型电流Icc
电子电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100％测试/保证100 ％的收益率
- 高速电擦除（ <100ms ）
- 20年的数据保存
十二个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性，复杂的逻辑设计
预载和上电寄存器复位
- 100 ％的功能可测性
应用程序包括：
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
用于识别电子签名
输入
2
功能框图
I / CLK 1
预设
输入
8
输入
8
输入
10
INPUT / CLK 2
12
输入
OLMC 0
OLMC 1
I / O / Q
I / O / Q
OLMC 2
I / O / Q
可编程
与阵
(150X52)
OLMC 3
14
I / O / Q
输入
OLMC 4
16
I / O / Q
输入
OLMC 5
16
I / O / Q
输入
OLMC 6
14
I / O / Q
输入
12
输入
10
输入
8
OLMC 7
I / O / Q
OLMC 8
OLMC 9
I / O / Q
I / O / Q
OLMC 10
8
I / O / Q
描述
该GAL26V12 ，在7.5ns最大传播延迟时间，COM的
bines高性能CMOS工艺与电Eras-
能（E
2
）浮栅技术，可提供最高perform-
ANCE市场上现有的任何26V12设备。 ê
2
技
术提供高速（ <100ms ）擦除时间，提供的能力
重新编程或快速而有效地重新配置设备。
通用架构提供了最大的设计灵活性
使输出逻辑宏单元（ OLMC ）被配置
该用户。该GAL26V12完全功能/熔丝图/参数
与其他26V12设备兼容。
独特的测试电路和可编程细胞允许完成
交流，直流，并在制造过程中进行功能测试。其结果，
格子是能够保证100％的现场可编程性和
所有GAL功能
产品。莱迪思还保证100
擦除/重写周期。
输入
OLMC 11
RESET
I / O / Q
包图
DIP
PLCC
I/CLK2
I
I
I/CLK1
I
I / O / Q
I / O / Q
I/CLK1
I
I
I/CLK2
I
1
28
I
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
I
4
2
28
26
25
I
I
VCC
I
I
I
I
5
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GND
I / O / Q
I / O / Q
I
VCC
I
I
I
I
I
I
I
7
GAL
26V12
21
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GND
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
7
GAL26V12
顶视图
23
9
21
11
12
14
16
19
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
I
I
14
15
I / O / Q
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2
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2000年11月
