INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
F
参数
集电极 - 发射耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
二极管的正向电压
条件
I
C
= 100毫安;
BE
=∞
I
C
= 5毫安;我
E
=0
I
E
= 200毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.8A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
EC
=3.5A
40
8
民
800
1500
7
2SD1397
典型值。
最大
单位
V
V
V
8.0
1.5
10
130
V
V
μA
mA
3
2.0
兆赫
V
2
