INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1157
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
50
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 1A ;我
B
= 0
B
50
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
80
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
10
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
V
Bé
（SAT）
基射极饱和电压
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
开关时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
B
I
C
= 1A ;我
B
= 50毫安
0.5
V
I
C
= 1A ;我
B
= 50毫安
B
1.5
V
V
CB
= 80V ;我
E
= 0
100
μA
V
EB
= 10V ;我
C
= 0
100
μA
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
250
t
on
开启时间
I
C
= 2A ，我
B1
= -I
B2
= 0.2A;
R
L
= 5Ω; P
W
= 20μs的; Duty≤2 ％
0.5
μs
t
英镑
贮存时间
3.0
μs
t
f
下降时间
0.8
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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