SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 2A ;我
B
=0.25 A
I
C
= 10毫安;我
B
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
CE
= 60V ;我
B
=0
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.1A ; V
CB
=10V;f=10MHz
60
80
30
60
民
2SC5895
符号
V
CESAT
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
典型值。
最大
0.5
单位
V
V
100
100
A
A
250
100
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=1A;I
B1
=-I
B2
=0.1A
V
CC
=50V
0.2
0.7
0.15
s
s
s
2
