订购数量： ENA1097
2SC5539A
三洋半导体
数据表
NPN外延平面硅晶体管
2SC5539A
特点
VHF超高频低噪声放大器
和OSC应用
低噪音
： NF = 1.1分贝典型值（ F = 1GHz的） 。
高增益
:
S21e
2
= 12分贝典型值（ F = 1GHz的） 。
高截止频率： FT =典型的7.5GHz 。
超小型，超薄扁平引脚封装（ 1.4mm0.8mm0.6mm ） 。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
当安装在玻璃环氧基板
条件
评级
20
12
2
100
150
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
CRE
VCB = 10V ， IE = 0A
VEB = 1V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 30毫安
VCE = 5V ， IC = 30毫安
VCB = 5V ， F = 1MHz的
VCB = 5V ， F = 1MHz的
90
6
7.5
0.85
0.6
1.3
条件
评级
民
典型值
最大
1.0
10
200
GHz的
pF
pF
单位
μA
μA
标记： ND
接下页。
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设备。
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O2109AB TK IM TC- 00002101号A1097-1 / 6
