INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ;我
B
=0.6A
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0;V
CB
=10V;f=1MHz
55
35
75
0.35
0.95
30
190
民
120
2SC4689
典型值。
最大
单位
V
5
5
160
μA
μA
2
1.5
V
V
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
