INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
10
8
民
400
2SC4559
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
5.5
兆赫
开关时间
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3A ;我
B1
=0.6A
I
B2
=-1.2A;V
CC
=150V
1.0
3.0
0.3
μs
μs
μs
t
on
t
s
t
f
2
