INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC4368
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
150
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
C
OB
集电极输出电容
f
T
电流增益带宽积
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 5亿; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F = 1.0MHz的
.CN
i
40
140
35
pF
4
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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