PD - 91787E
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
I
D
IRHNA57Z60 100K拉德（SI ） 0.0035Ω 75 *一个
IRHNA53Z60 300K拉德（SI ） 0.0035Ω 75 *一个
IRHNA54Z60
600K拉德（SI ）
0.0035 75*A
IRHNA58Z60 1000K拉德（SI ） 0.0040Ω 75 *一个
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间应用程序
阳离子。这些装置已被表征为
单粒子效应（ SEE）用业绩
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于paral-的
电参的乐陵和温度稳定性
ETERS 。
IRHNA57Z60
30V的N通道
R
5
技术
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*当前是通过内部导线直径的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
75*
75*
300
300
2.4
±20
500
75
30
0.83
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
4/10/00
