INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 5毫安;
BE
=
∞
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
I
C
= 0.75A ;我
B
= 0.15A
I
C
= 0.75A ;我
B
= 0.15A
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
民
800
1100
7
2SC3751
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
电流增益带宽积
输出电容
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
10
8
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
= 0.2A ;我
B2
= -0.4A;
R
L
= 400Ω, V
CC
=
400V
15
35
兆赫
pF
开启时间
贮存时间
下降时间
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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